PMMA & HSQ 電子束光阻，具備高解析度與優異製程穩定性！全面提升微影製程表現！
奈米級微影製程(Nanolithography) 中不可或缺的關鍵材料，能精準實現複雜且細緻的圖案結構。
PMMA & HSQ 電子束光阻產品規格對照
奈米級微影製程 (Nanolithography) 所需的高解析度與優異製程穩定性材料，滿足複雜圖案結構的精準實現。
📂 產品型錄： 點我下載 PMMA & HSQ DM (PDF 檔)
| 關鍵特性 | PMMA (正型光阻) | HSQ (負型光阻) |
|---|---|---|
| 解析度 (Resolution) | 優異 (適合 Lift-off 技術) | 極高 (實現 Sub-10nm 結構) |
| 耐蝕刻性 | 普通 | 優異 (特性接近 SiO2) |
| 應用領域 | 電子束曝光、金屬剝離製程 | 高對比度奈米圖案、乾式蝕刻遮罩 |